NAND SLC大型页面闪存系列能提供 1Gb 及以上的容量，电源电压为1.8 V或3V。根据器件的总线宽度的不同（x 8或x 16），页面大小为2 Kbytes（2048 + 64个专用）或1 Kword (1024 + 32 个专用)。

对于存储及处理大量数据的应用来说，一项最重要的要求是非常高的数据吞吐量。NAND 闪存产品不仅能满足这项要求，而且具有快的写入速度及低功耗等特性。

NAND SLC大型页面 闪存具备以下特性，能够增强系统性能和应用创新：

• 回写 (copy back program) 方式，以优化坏块的管理
• 高速缓存读取模式，以提高读取吞吐量
• 高速缓存编程模式/多片编程，以提高编程吞吐量
• Chip enable片选无关，简化MCU代码下载
• 支持上电时从NAND启动，在RAM中下载引导扇区
• 安全标识和序列号OTP 区
• 硬件数据保护引脚

所有器件都采用独立的引脚分布，带有模块化接口，可进行简易的容量升级，并且可以采用包括TSOP、VFBGA和LGA在内的多种封装。