OneNAND™ 是一种具有NOR接口，以NAND技术为基础的闪存。它融合了NAND高存储容量和NOR闪存快速读取的功能。
消费电子类，手机和存储设备都可以利用这种存储器结构。 |
OneNAND™ 具有嵌入式RAM缓冲区，从而拥有XiP能力进行快速启动，因此对数据和代码存储均非常适合。
因为很高的读取吞吐量，该闪存是代码映射和指令页面载入到DRAM的最佳解决方案。 |
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• 密度从1 Gb到 4 Gb
• 操作电压从1.7 V 到1.95 V
• -25°C到+85°C
• 30 us (典型) 页面载入时间
• 比特ECC
• 85MHz同步 |
• 以NAND结构为基础
• 整合RAM缓冲区
• 内部 ECC
• NOR接口
• 非易失性不可逆性保护 |
• 像NOR一样可探测
• NAND的高速写入能力
• 软件ECC嵌入和多块擦除，数据管理更快。
• 锁机制保护OS图像和关键数据 |
• 管理具有NOR接口的NAND解决方案
• 固定引脚数，与密度无关
• 内部ECC达到预确定的可靠性程度 |
OneNAND™ 是 Samsung Electronics 公司的商标。.
