• 密度从128 Mbit到512 Mbit • 1.8 V操作电压 • -30°C到+85°C • 读取速度高达110MHz • 1.5 MB/s编程性能 • 边读边写/擦除 (RWW/E) • 引导块结构 |
• 先进65nm工艺 • 多层存储单元(MLC) 技术 • 低功耗 • 完整软件套件 |
• 插入式兼容性 • 综合多芯片封装(MCP)产品包系列 • RWW/E改善系统性能 • 缓冲EFP 和空白校验加速了工厂吞吐速度. |
• 主流XiP解决方案 • 相机, MP3, 录像机 & 互联网应用设备 |