• 密度128 Mbit到1 Gbit • 可堆叠至 2 Gbit • 1.8 V操作电压 • -30°C 到 +85°C • 读取速度达133MHz • 1.8 MB/s编程性能 • 边读边写/擦除 (RWW/E) • 对象和控制模式(Object and Control Mode) • 对称模块结构 |
• 先进65nm 工艺
• 多层存储单元(MLC) 技术 • 低功耗 • 柔性结构 • 完整软件套件 |
• 插入式兼容 • 综合多芯片封装产品 •对象和控制模式提供高灵活性 • RWW/E提高系统性能 • 缓冲EFP 和空白校验加速了工厂吞吐. |
• 高性能XiP解决方案 • 数据密集型应用程序 • 相机,MP3, 录像设备 & 互联网应用设备 • 多任务化应用 |