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CompactFlash*

概述   技术文档        
CompactFlash*是一种非易失性存储卡通过形状因子来提供较高的数据存储能力。在性能和可靠性的设计上,CompactFlash 存储卡具有很好的鲁棒性和耐久性,能够为苛刻的工业应用和专业环境较为理想地提供最大的安全性。

CompactFlash 存储卡能够满足企业系统原始设备制造商日益增长的对设备在极端环境下工作的高性能和高稳定性的需求。由于拥有综合的测试系统,极其完善的质量控制体系,以及极高的数据稳定性并能经受2,000,000次的程序写入/擦除循环,CompactFlash存储卡保证可以承受住上述条件甚至更为苛刻条件下的正常用户使用。

新一代CompactFlash存储卡采用了从70nm的NAND技术到最新的57nm的技术,也就是说具有了更优异的性能和稳定性。具有持续写入速率增加,抗冲击和振动,以及更宽的工作温度范围等特性,这些特性都是满足行业要求的更高性能和工作特性的完美解决方案,并取代了采用固态闪存驱动的硬盘驱动器。

 主要特性  新一代3.0
用户定制设计,高度集成的存储控制器: 完全符合CompactFlash 3.0的规格:

- 完全符合PCMCIA规范

- 支持PC卡ATA接口

- 真正与IDE模式兼容

- 最多支持PIO模式6

- 最多支持Multi-Word DMA模式4

- 硬件采用RS-code纠错码(在512字节数据中最多达到4个纠错符号)

高可靠性/耐久性:  高性能:

- MTBF(平均故障间隔时间) >3,000,000小时

- 数据可靠性性<1不可回复性错误每1014读取比特

- 耐久性:> 2,000,000次程序写入/擦除循环

- 存储卡插入/清除数:>10,000

- 基于NAND70和57nm技术

- 最高传输速率达到23.8M字节/秒

- 持续读取性能:19M字节/秒

- 持续写入性能:12.5M字节/秒

低功率CMOS技术  
节能模式(具有自动唤醒功能)  
可热插拔